Finite element simulation of the optical modes of semiconductor lasers
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
control of the optical properties of nanoparticles by laser fields
در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...
15 صفحه اولbuckling of viscoelastic composite plates using the finite strip method
در سال های اخیر، تقاضای استفاده از تئوری خطی ویسکوالاستیسیته بیشتر شده است. با افزایش استفاده از کامپوزیت های پیشرفته در صنایع هوایی و همچنین استفاده روزافزون از مواد پلیمری، اهمیت روش های دقیق طراحی و تحلیل چنین ساختارهایی بیشتر شده است. این مواد جدید از خودشان رفتارهای مکانیکی ارائه می دهند که با تئوری های الاستیسیته و ویسکوزیته، نمی توان آن ها را توصیف کرد. این مواد، خواص ویسکوالاستیک دارند....
Finite Element Simulation of Semiconductor Devices on Multiprocessor Computers
{ In this work we describe a methodology for solving the basic set of state stationary semiconductor device equations. We present a new iterative method for the solution using nite elements of the non linear Poisson equation and use a Conjugate Gradient type method for solving the non symmetric continuity equations. The parallelization of this approach and its projection onto a multiprocessor s...
متن کاملFinite Element Simulation of Metal–Semiconductor–Metal Photodetector
LLE Review, Volume 119 154 Introduction Low-temperature–grown GaAs (LT-GaAs), deposited by molecular beam epitaxy, has been known for its ultrashort, subpicosecond photocarrier lifetime and relatively high carrier mobility. Therefore, in recent years LT-GaAs has been the material of choice for the fabrication of photonic devices such as photoconductive switches,1,2 both of the metal–semiconduct...
متن کاملeffects of facet phases and reflectivity on the internal optical field in qws-dfb semiconductor lasers
in this paper, the effects of reflected waves of the facets on the internal optical intensity of semiconductor dfb lasers are investigated. the uniformity of optical intensity along the cavity length is evaluated with flatness parameter. the dependence of this parameter on coupling coefficient, reflectivity and grating phase at the facets is also studied. this investigation shows that in some s...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: physica status solidi (b)
سال: 2010
ISSN: 0370-1972,1521-3951
DOI: 10.1002/pssb.200945451